RSS
App Store Google Play
Больше информации
Реклама
Актуально
  • Польша пригрозила санкциями в случае военной агрессии РФ в Украине
  • У Зеленского не планируют наступлений на Донбассе
  • Тихановская запланировала встречу с Зеленским

Samsung разработала первый модуль памяти DDR5 объемом 512 ГБ

Аня Мартинюк 25 марта 2021, 11:59
Samsung разработала первый модуль памяти DDR5 объемом 512 ГБ

Стало известно, с какой скоростью модуль будет передавать данные.

Новость передает «Пресса Украины».

Сегодня, 25 марта, стало известно, что компания Samsung разработала первый модуль памяти DDR5 объемом 512 ГБ. Новый вид памяти подойдет для серверных систем, которые будут поддерживать ОЗУ стандарта DDR5. Например, в процессорах AMD EPYC (Genoa, Zen 4) и Intel Xeon (Sapphire Rapids). То есть такие модули будут в суперкомпьютерах.

В Samsung придумали составлять 8 чипов 16 Гбит DRAM, чтобы предложить емкость до 512 ГБ на одном модуле. Что касается скорости, утверждается, что передача данных будет осуществляется со скоростью 7200 Мбит/с.


Больше информации
Комментарии 0

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии.