Site icon Пресса Украины

Samsung розробила перший модуль пам’яті DDR5 об’ємом 512 ГБ

Стало відомо, з якою швидкістю модуль передаватиме дані. 

Новину передає «Преса України».

Сьогодні, 25 березня, стало відомо, що компанія Samsung розробила перший модуль пам’яті DDR5 об’ємом 512 ГБ. Новий вид пам’яті підійде для серверних систем, які будуть підтримувати ОЗУ стандарту DDR5. Для прикладу, у процесорах AMD EPYC (Genoa, Zen 4) і Intel Xeon (Sapphire Rapids). Тобто такі модулі будуть у суперкомп’ютерах.

У Samsung придумали складати 8 чіпів 16 Гбіт DRAM, щоб запропонувати ємність до 512 ГБ на одному модулі. Що стосується швидкості, стверджується, що передача даних здійснюється зі швидкістю 7200 Мбіт/с.  

[articles_related]

Exit mobile version